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GaNFET GaNPower GP1A215TS_252

图像仅供参考,请参阅产品规格书

GaNFET GaNPower GP1A215TS_252

制造商型号: GP1A215TS_252
制造商: GaNPower
封装/规格: TO252
商品描述:
N沟道 Vds=1200V Id=15A

PDF资料: GP1A215TS_252.pdf

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  • 产品分类

    JFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    1200V

    导通电阻Rds On(Max)

    93mΩ

    功率(Max)

    82.5W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 GP1A215TS_252.pdf

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    型号:GP1A215TS_252

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