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GaNFET GaNPower GP16530DS

图像仅供参考,请参阅产品规格书

GaNFET GaNPower GP16530DS

制造商型号: GP16530DS
制造商: GaNPower
封装/规格: DFN6x8
商品描述:
N沟道 Vds=650V Id=30A

PDF资料: GP16530DS.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    JFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    650V

    导通电阻Rds On(Max)

    65.8mΩ

    功率(Max)

    165W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 GP16530DS.pdf

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