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首页所有产品MOSFETs 当前“MOSFETs”共 2991 条相关库存

MOSFETs

图片 原厂型号 品牌 描述 库存 参考价格 封装
MOSFETs ALLPOWER AP3415E AP3415E ALLPOWER
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现货: 3000

¥0.18750

MOSFETs SK SK3401 SK3401 SK
MOSFETs P-CH Vdss: 30V Id: 4.2A Vgs: ±12V SC-59
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现货: 2990

¥0.24750

SC-59
MOSFETs ALLPOWER AP3908GD AP3908GD ALLPOWER
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现货: 5000

¥0.83999

MOSFETs ALLPOWER AP4008QD AP4008QD ALLPOWER
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现货: 5000

¥0.68100

MOSFETs ALLPOWER AP4606C AP4606C ALLPOWER
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现货: 4000

¥0.30000

MOSFETs ALLPOWER AP2080K AP2080K ALLPOWER
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现货: 2500

¥0.46501

MOSFETs NCE NCE2304 NCE2304 NCE
NCE2304 SOT-23
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现货: 3000

¥0.19799

MOSFETs NCE NCEP85T11 NCEP85T11 NCE
功率(Pd):145W 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ 10V,55A 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 类型:N沟道
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现货: 50

¥2.60000

TO-220
MOSFETs NCE NCE3010S NCE3010S NCE
功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ 10V,10A 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 类型:N沟道 N沟道,30V,10A,12毫欧低阻款
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现货: 696

¥0.72000

SOP-8
晶体管 Infineon IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Infineon
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
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现货: 115

¥5.33925

SOT-404,D2PAK
L2N7002KLT1G L2N7002KLT1G LRC
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现货: 1884

¥0.12875

-
MOSFETs CBI 2N7002KT 2N7002KT CBI
类型:- 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1μA 功率(Pd):0.15W
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现货: 3000

¥0.12900

SOT-523
MOSFET VBsemi NTR4503NT1G NTR4503NT1G VBsemi
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):170pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 470

¥0.45750

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFETs VBsemi NTR4170NT1G NTR4170NT1G VBsemi
Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):170pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 480

¥0.45750

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFETs VBsemi P9006EDG P9006EDG VBsemi
Vds=60V Id=30A TO252AA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.061Ω@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1000pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):120pF@25V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 98

¥2.64420

TO-252
MOSFETs VBsemi SGM2306A SGM2306A VBsemi
Vds=30V Id=6.8A SOT89-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.8A 功率(Pd):6.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):1.2nF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):100pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 500

¥1.06820

SOT-89
MOSFETs JCET MMDT4403 MMDT4403 JCET
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现货: 3000

¥0.24000

MOSFETs IXYS IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):540W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):5.5V@2.5mA
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现货: 50

¥15.34000

TO-220
MOSFETs WILLSEMI WNM3013-3/TR WNM3013-3/TR WILLSEMI
输入电容(Ciss@Vds):36pF 5V 反向传输电容(Crss@Vds):12pF 5V 功率(Pd):380mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2mΩ 10V,450mA 栅极电荷(Qg@Vgs):1.6nC 10V 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):250mA 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 工作温度(最小值):-55℃ (Tj) 类型:N沟道
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现货: 7980

¥0.20999

SOT-723
MOS场效应管(单) NCE NCE6990 NCE6990 NCE
VDS=69V ID=90A PD=160W VGS=±20V
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现货: 994

¥2.56500

TO-220
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张总

13923880174

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