张总
13923880174
图片 | 原厂型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 参考价格 | 封装 |
---|---|---|---|---|---|---|
AP3415E | ALLPOWER |
|
现货: 3000 |
¥0.18750 |
|
|
SK3401 | SK |
MOSFETs P-CH Vdss: 30V Id: 4.2A Vgs: ±12V SC-59
数据文档
|
现货: 2990 |
¥0.24750 |
SC-59
|
|
AP3908GD | ALLPOWER |
|
现货: 5000 |
¥0.83999 |
|
|
AP4008QD | ALLPOWER |
|
现货: 5000 |
¥0.68100 |
|
|
AP4606C | ALLPOWER |
|
现货: 4000 |
¥0.30000 |
|
|
AP2080K | ALLPOWER |
|
现货: 2500 |
¥0.46501 |
|
|
NCE2304 | NCE |
NCE2304 SOT-23
数据文档
|
现货: 3000 |
¥0.19799 |
|
|
NCEP85T11 | NCE |
功率(Pd):145W 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ 10V,55A 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 类型:N沟道
数据文档
|
现货: 50 |
¥2.60000 |
TO-220
|
|
NCE3010S | NCE |
功率(Pd):2.5W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ 10V,10A 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 类型:N沟道 N沟道,30V,10A,12毫欧低阻款
数据文档
|
现货: 696 |
¥0.72000 |
SOP-8
|
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon |
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
数据文档
|
现货: 115 |
¥5.33925 |
SOT-404,D2PAK
|
|
L2N7002KLT1G | LRC |
|
现货: 1884 |
¥0.12875 |
-
|
|
2N7002KT | CBI |
类型:- 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1μA 功率(Pd):0.15W
数据文档
|
现货: 3000 |
¥0.12900 |
SOT-523
|
|
NTR4503NT1G | VBsemi |
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):170pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
数据文档
|
现货: 470 |
¥0.45750 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
|
|
NTR4170NT1G | VBsemi |
Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):170pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
数据文档
|
现货: 480 |
¥0.45750 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
|
|
P9006EDG | VBsemi |
Vds=60V Id=30A TO252AA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.061Ω@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1000pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):120pF@25V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
数据文档
|
现货: 98 |
¥2.64420 |
TO-252
|
|
SGM2306A | VBsemi |
Vds=30V Id=6.8A SOT89-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.8A 功率(Pd):6.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):1.2nF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):100pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
数据文档
|
现货: 500 |
¥1.06820 |
SOT-89
|
|
MMDT4403 | JCET |
|
现货: 3000 |
¥0.24000 |
|
|
IXFP20N85X | IXYS |
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):540W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):5.5V@2.5mA
数据文档
|
现货: 50 |
¥15.34000 |
TO-220
|
|
WNM3013-3/TR | WILLSEMI |
输入电容(Ciss@Vds):36pF 5V 反向传输电容(Crss@Vds):12pF 5V 功率(Pd):380mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2mΩ 10V,450mA 栅极电荷(Qg@Vgs):1.6nC 10V 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):250mA 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 工作温度(最小值):-55℃ (Tj) 类型:N沟道
数据文档
|
现货: 7980 |
¥0.20999 |
SOT-723
|
|
NCE6990 | NCE |
VDS=69V ID=90A PD=160W VGS=±20V
数据文档
|
现货: 994 |
¥2.56500 |
TO-220
|