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MOS场效应管(单) ROHM RTR025N03TL

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) ROHM RTR025N03TL

制造商型号: RTR025N03TL
制造商: ROHM
封装/规格: SC_96
商品描述:
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=2.5A P=1W

PDF资料: RTR025N03TL.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.5V@1mA

    漏极电流Idss

    2.5A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    92毫欧@2.5A,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    不可用于新设计

    漏源电压(Vdss)

    30V

    导通电阻Rds On(Max)

    92mΩ

    输入电容(Ciss)(Max)

    220pF

    功率(Max)

    1W

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 RTR025N03TL.pdf

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