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MOS场效应管(阵列) Vishay SI5515CDC-T1-GE3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) Vishay SI5515CDC-T1-GE3

制造商型号: SI5515CDC-T1-GE3
制造商: Vishay
封装/规格: 1206-8 ChipFET
商品描述:
N沟道+P沟道 VDS=±20V VGS=±8V ID=±4A P=3.1W 2通路

PDF资料: SI5515CDC-T1-GE3.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    800mV@250µA

    漏极电流Idss

    4A

    FET类型

    N+P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    36毫欧@6A,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    4A

    导通电阻Rds On(Max)

    36mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    11.3nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    632pF

    功率(Max)

    3.1W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SMP,DO-220AA

    技术资料文档
    数据手册 SI5515CDC-T1-GE3.pdf

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