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MOS场效应管(阵列) WINSOK WSG02N20

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) WINSOK WSG02N20

制造商型号: WSG02N20
制造商: WINSOK
封装/规格: SOT-223
商品描述:
2N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=2A 2通路

PDF资料: WSG02N20.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.8V@250µA

    漏极电流Idss

    2A

    FET类型

    N+N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    200V

    漏源电压(Vdss)

    200V

    导通电阻Rds On(Max)

    310mΩ

    功率(Max)

    18W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-223

    技术资料文档
    数据手册 WSG02N20.pdf

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