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MOS场效应管(单) LRC L2N7002LT1G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) LRC L2N7002LT1G

制造商型号: L2N7002LT1G
制造商: LRC
封装/规格: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
商品描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA

PDF资料: L2N7002LT1G.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.6V@250µA

    漏极电流Idss

    115mA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    漏源电压(Vdss)

    60V

    导通电阻Rds On(Max)

    7.5Ω

    功率(Max)

    225mW

    封装/外壳

    SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

    技术资料文档
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