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MOS场效应管 Central. CEDM7004TR

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Central. CEDM7004TR

制造商型号: CEDM7004TR
制造商: Central.
封装/规格: SC_101,SOT_883
商品描述:
MOSFETN-CH8.0V3.56ASOT-883

PDF资料: CEDM7004TR.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    漏极电流Idss

    1.78A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    460毫欧@200mA,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    导通电阻Rds On(Max)

    460mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.79nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    43pF

    功率(Max)

    100mW

    工作温度(Tj)

    -65°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
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