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MOS场效应管(单) Infineon IRF640NPBF

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Infineon IRF640NPBF

制造商型号: IRF640NPBF
制造商: Infineon
封装/规格: SOT78,TO-220AB,SC-46
商品描述:
N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=18A

PDF资料: IRF640NPBF.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@250µA

    漏极电流Idss

    18A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    150毫欧@11A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    200V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    200V

    导通电阻Rds On(Max)

    150mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    67nC

    功率(Max)

    150W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    通孔(THT)

    封装/外壳

    SOT78,TO-220AB,SC-46

    技术资料文档
    数据手册 IRF640NPBF.pdf

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