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MOS场效应管 Nexperia PMGD280UN,115

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Nexperia PMGD280UN,115

制造商型号: PMGD280UN,115
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-363
商品描述:
2N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=870mA P=400mW

PDF资料: PMGD280UN,115.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    340毫欧@200mA,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    870mA

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.89nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    45.0pF

    功率(Max)

    400mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-363

    技术资料文档
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