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MOS场效应管(单) Toshiba TK32E12N1,S1X

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Toshiba TK32E12N1,S1X

制造商型号: TK32E12N1,S1X
制造商: Toshiba
封装/规格: SOT78,TO-220AB,SC-46
商品描述:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220

PDF资料: TK32E12N1,S1X.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@500µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    13.8毫欧@16A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    120V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    栅极电荷(Qg)(Max)

    34nC

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    通孔(THT)

    封装/外壳

    SOT78,TO-220AB,SC-46

    技术资料文档
    数据手册 TK32E12N1,S1X.pdf

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