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晶体管 ON NTJD4001NT1G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 ON NTJD4001NT1G

制造商型号: NTJD4001NT1G
制造商: ON
封装/规格: 6_TSSOP,SC_88,SOT_363
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

PDF资料: NTJD4001NT1G.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.5V@100µA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    1.5欧姆@10mA,4V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    导通电阻Rds On(Max)

    1.5Ω

    输入电容(Ciss)(Max)

    33pF

    功率(Max)

    272mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 NTJD4001NT1G.pdf

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