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MOS场效应管(单) TI CSD19532KTTT

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) TI CSD19532KTTT

制造商型号: CSD19532KTTT
制造商: TI
封装/规格: SOT-404,D2PAK
商品描述:
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W

PDF资料: CSD19532KTTT.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3.2V@250µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    5.6毫欧@90A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    100V

    是否无铅

    含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    导通电阻Rds On(Max)

    5.6mΩ

    输入电容(Ciss)(Max)

    5060pF

    功率(Max)

    250W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-404,D2PAK

    技术资料文档
    数据手册 CSD19532KTTT.pdf

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