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MOS场效应管(单) ON NTD3055L104T4G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) ON NTD3055L104T4G

制造商型号: NTD3055L104T4G
制造商: ON
封装/规格: TO-252-2(DPAK,TO-252AA,SC-63)
商品描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±15V ID=12A P=48W

PDF资料: NTD3055L104T4G.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA

    漏极电流Idss

    12A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    104毫欧@6A,5V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    导通电阻Rds On(Max)

    104mΩ

    功率(Max)

    1.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 NTD3055L104T4G.pdf

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