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MOSFETs NCE NCE40H12K

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs NCE NCE40H12K

制造商型号: NCE40H12K
制造商: NCE
封装/规格: TO-252-2(DPAK)
商品描述:
功率(Pd):120W 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ 10V,20A 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 类型:N沟道

PDF资料: NCE40H12K.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    元件生命周期

    Active

    存储温度

    -55~+175℃

    原产国家

    China

    品牌

    NCE

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    40V

    连续漏极电流Id@25℃

    120A

    导通电阻Rds On(Max)

    4mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    75nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    5400pF

    功率(Max)

    120W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-252-2(DPAK)

    技术资料文档
    数据手册 NCE40H12K.pdf

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