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MOS场效应管 Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA2

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA2

制造商型号: IPD14N06S280ATMA2
制造商: Infineon Technologies
封装/规格: PG_TO252_3_11
商品描述:
N沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=17A P=47W

PDF资料: IPD14N06S280ATMA2.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@14µA

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    55V

    导通电阻Rds On(Max)

    80mΩ

    功率(Max)

    47W

    技术资料文档
    数据手册 IPD14N06S280ATMA2.pdf

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