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MOS场效应管(单) Cree C2M1000170D

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Cree C2M1000170D

制造商型号: C2M1000170D
制造商: Cree
封装/规格: TO-247 ,SOT-429
商品描述:
N沟道 VDS=1700V VGS=25V/-10V ID=4.9A P=69W

PDF资料: C2M1000170D.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.4V@100µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    1.1欧姆@2A,20V

    漏源极电压(Vdss)

    1700V(1.7kV)

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    1700V

    导通电阻Rds On(Max)

    1.1Ω

    输入电容(Ciss)(Max)

    191pF

    功率(Max)

    69W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    通孔(THT)

    封装/外壳

    TO-247 ,SOT-429

    技术资料文档
    数据手册 C2M1000170D.pdf

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