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MOS(场效应管) UMW UMW 4N65F

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS(场效应管) UMW UMW 4N65F

制造商型号: UMW 4N65F
制造商: UMW
封装/规格: TO-220F
商品描述:
N沟道 VDS=650V VGS=30V ID=4A P=33W

PDF资料: UMW 4N65F.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@250µA

    漏极电流Idss

    4A

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    650V

    漏源电压(Vdss)

    650V

    导通电阻Rds On(Max)

    2.5Ω

    功率(Max)

    33W

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    通孔(THT)

    封装/外壳

    TO-220F

    技术资料文档
    数据手册 UMW 4N65F.pdf

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