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MOS场效应管 华润华晶 CS630A4H

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 华润华晶 CS630A4H

制造商型号: CS630A4H
制造商: 华润华晶
封装/规格: TO-252
商品描述:
N沟道 VDS=200V ID=9A P=83W

PDF资料: CS630A4H.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@250µA

    漏极电流Idss

    1µA

    FET类型

    N沟道

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    200V

    连续漏极电流Id@25℃

    9A

    导通电阻Rds On(Max)

    280mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    13nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    600pF

    功率(Max)

    83W

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-252

    技术资料文档
    数据手册 CS630A4H.pdf

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