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MOS场效应管(单) Nexperia PSMN4R2-30MLDX

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Nexperia PSMN4R2-30MLDX

制造商型号: PSMN4R2-30MLDX
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-1210,8-LFPAK33
商品描述:
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=70A P=65W

PDF资料: PSMN4R2-30MLDX.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.2V@1mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    4.3毫欧@25A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    70A

    导通电阻Rds On(Max)

    4.3mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    29.3nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    1795pF

    功率(Max)

    65W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-1210,8-LFPAK33

    技术资料文档
    数据手册 PSMN4R2-30MLDX.pdf

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