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 mos场效应管 Nexperia PMDPB95XNE2X

图像仅供参考,请参阅产品规格书

mos场效应管 Nexperia PMDPB95XNE2X

制造商型号: PMDPB95XNE2X
制造商: Nexperia
封装/规格: DFN2020-6
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6HUSON

PDF资料: PMDPB95XNE2X.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.25V@250µA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    99毫欧@2.8A,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    2.7A

    导通电阻Rds On(Max)

    99mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    4.5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    258pF

    功率(Max)

    510mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    DFN2020-6

    技术资料文档
    数据手册 PMDPB95XNE2X.pdf

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