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MOS场效应管(单) Nexperia PMZB600UNEYL

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Nexperia PMZB600UNEYL

制造商型号: PMZB600UNEYL
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-883B,DFN1006B-3
商品描述:
P沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=0.6A P=715mW
交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    950mV@250µA

    FET类型

    P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    620毫欧@600mA,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    600mA

    导通电阻Rds On(Max)

    620mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.7nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    21.3pF

    功率(Max)

    360mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-883B,DFN1006B-3

    技术资料文档
    数据手册 PMZB600UNEYL.pdf

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