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MOS场效应管(单) Nexperia PHT6NQ10T,135

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Nexperia PHT6NQ10T,135

制造商型号: PHT6NQ10T,135
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT_223.
商品描述:
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=6.5A P=1.8W

PDF资料: PHT6NQ10T,135.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@1mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    90毫欧@3A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    100V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    6.5A

    导通电阻Rds On(Max)

    90mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    21nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    633pF

    功率(Max)

    8.3W

    工作温度(Tj)

    -65°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
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