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MOS场效应管 Nexperia PSMN8R5-100ESFQ

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Nexperia PSMN8R5-100ESFQ

制造商型号: PSMN8R5-100ESFQ
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-226
商品描述:
PSMN8R5-100ES/SOT226/I2PAK

PDF资料: PSMN8R5-100ESFQ.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@1mA

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    97A

    导通电阻Rds On(Max)

    8.8mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    44.5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    3181pF

    功率(Max)

    183W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    通孔(THT)

    封装/外壳

    SOT-226

    技术资料文档
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