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MOS场效应管(单) YENJI DMG1012T

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) YENJI DMG1012T

制造商型号: DMG1012T
制造商: YENJI
封装/规格: SOT-523
商品描述:
场效应管 SOT-523 N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=0.65A P=270mW

PDF资料: DMG1012T.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    FET类型

    N沟道

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    0.65A

    导通电阻Rds On(Max)

    260mΩ

    功率(Max)

    270mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-523

    技术资料文档
    数据手册 DMG1012T.pdf

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