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MOS场效应管(阵列) ON FDS4935BZ

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) ON FDS4935BZ

制造商型号: FDS4935BZ
制造商: ON
封装/规格: SOIC-8(0.154", 3.90mm Width)
商品描述:
2P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-6.9A 2通路

PDF资料: FDS4935BZ.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    漏极电流Idss

    6.9A

    FET类型

    P+P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    22毫欧@6.9A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    6.9A

    导通电阻Rds On(Max)

    22mΩ

    功率(Max)

    900mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SO-8

    技术资料文档
    数据手册 FDS4935BZ.pdf

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