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场效应管MOSFETs WINSOK WSD50P10ADN56

图像仅供参考,请参阅产品规格书

场效应管MOSFETs WINSOK WSD50P10ADN56

制造商型号: WSD50P10ADN56
制造商: WINSOK
封装/规格: DFN5X6-8
商品描述:
P沟道.-100V.-40A.62mΩ

PDF资料: WSD50P10ADN56.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    P沟道

    漏源电压(Vdss)

    -100V

    连续漏极电流Id@25℃

    40A

    导通电阻Rds On(Max)

    81mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    75nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    2590pF

    功率(Max)

    104W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    DFN5X6-8

    技术资料文档
    数据手册 WSD50P10ADN56.pdf

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