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    MOSFETs TECH PUBLIC SI2301DS

    图像仅供参考，请参阅产品规格书

    • MOSFETs TECH PUBLIC SI2301DS

    MOSFETs TECH PUBLIC SI2301DS

    制造商型号： SI2301DS
    制造商： TECH PUBLIC
    封装/规格： SOT-23-3
    商品描述：
    P-channel Enhancement-mode MOS FETS

    PDF资料： SI2301DS.pdf

    交货地：货期(工作日）：2小时发货
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    • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    0.7V@250uA

    FET类型

    P沟道

    元件生命周期

    Active

    存储温度

    -55~+150℃

    引线数量

    3

    原产国家

    China Taiwan

    原始制造商

    TECH PUBLIC

    品牌

    TECH PUBLIC

    漏源极电压（Vdss）

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    3A

    导通电阻Rds On(Max)

    140mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    12nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    405pF

    功率(Max)

    1W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 SI2301DS.pdf

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