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MOSFETs PJ PJM65H0A5NSQ

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs PJ PJM65H0A5NSQ

制造商型号: PJM65H0A5NSQ
制造商: PJ
封装/规格: SOT-89
商品描述:
N沟道 650V 30Ω 1W

PDF资料: PJM65H0A5NSQ.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    650V

    连续漏极电流Id@25℃

    500mA

    导通电阻Rds On(Max)

    30Ω

    栅极电荷(Qg)(Max)

    4.8nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    96pF

    功率(Max)

    1W

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-89

    技术资料文档
    数据手册 PJM65H0A5NSQ.pdf

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