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MOS场效应管(单) Nexperia PMPB10XNE,115

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Nexperia PMPB10XNE,115

制造商型号: PMPB10XNE,115
制造商: Nexperia
封装/规格: DFN2020MD-6
商品描述:
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9A P=1.7W

PDF资料: PMPB10XNE,115.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    700mV@250µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    14毫欧@9A,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    Digi-Key已不再提供

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    9A

    导通电阻Rds On(Max)

    14mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    34nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    2175pF

    功率(Max)

    1.7W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    DFN2020MD-6

    技术资料文档
    数据手册 PMPB10XNE,115.pdf

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