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MOS场效应管 YENJI YWNM6001

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 YENJI YWNM6001

制造商型号: YWNM6001
制造商: YENJI
封装/规格: SOT-23
商品描述:
N沟道 VDS=60V ID=320mA P=300mW

PDF资料: YWNM6001.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    2.7欧姆@50mA,5V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    导通电阻Rds On(Max)

    2.7Ω

    功率(Max)

    300mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23

    技术资料文档
    数据手册 YWNM6001.pdf

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