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场效应管(MOS管) PJ PJM10H03NSC

图像仅供参考,请参阅产品规格书

场效应管(MOS管) PJ PJM10H03NSC

制造商型号: PJM10H03NSC
制造商: PJ
封装/规格: SOT-23-3.
商品描述:
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

PDF资料: PJM10H03NSC.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    3A

    导通电阻Rds On(Max)

    140mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    20nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    650pF

    功率(Max)

    1.5W

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 PJM10H03NSC.pdf

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