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场效应管(MOSFET) PANJIT 2N7002_R1_00001

图像仅供参考,请参阅产品规格书

场效应管(MOSFET) PANJIT 2N7002_R1_00001

制造商型号: 2N7002_R1_00001
制造商: PANJIT
封装/规格: SOT-23
商品描述:
功率(Pd):350mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω 500mA,10V 连续漏极电流(Id):250mA 漏源电压(Vdss):60V 类型:N沟道

PDF资料: 2N7002_R1_00001.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    元件生命周期

    Active

    存储温度

    -55~+150℃

    引线数量

    3

    原产国家

    China Taiwan

    品牌

    PANJIT

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    250mA

    导通电阻Rds On(Max)

    7.5Ω

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.7nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    50pF

    功率(Max)

    350mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23

    技术资料文档
    数据手册 2N7002_R1_00001.pdf

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