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MRAM磁性随机存储器 ST M95512-DRMN3TP/K

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MRAM磁性随机存储器 ST M95512-DRMN3TP/K

制造商型号: M95512-DRMN3TP/K
制造商: ST
封装/规格: SOIC-8
商品描述:
EEPROM SPI 512KB 8SOIC

PDF资料: M95512-DRMN3TP/K.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MRAM磁性随机存储器

    湿气敏感性等级(MSL)

    1(无限)

    包装

    Tape/Reel

    接口类型

    SPI

    写周期时间-字,页

    4ms

    原始制造商

    STMicroelectronics

    品牌

    ST

    零件状态

    Active

    系列

    Automotive, AEC-Q100

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    技术

    EEPROM

    存储器类型

    NonVolatile

    存储器格式

    EEPROM

    存储容量

    512 (64K x 8)KB

    时钟频率(Max)

    16MHz

    工作电压(范围)

    5.5V

    工作温度

    -40~+125℃

    安装类型

    SMT

    封装/外壳

    SOIC-8

    技术资料文档
    数据手册 M95512-DRMN3TP/K.pdf

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