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MRAM磁性随机存储器 Micron MT47H128M16RT-25E:C

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MRAM磁性随机存储器 Micron MT47H128M16RT-25E:C

制造商型号: MT47H128M16RT-25E:C
制造商: Micron
封装/规格: TFBGA-84
商品描述:
IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 84FBGA

PDF资料: MT47H128M16RT-25E:C.pdf

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  • 产品分类

    MRAM磁性随机存储器

    湿气敏感性等级(MSL)

    3(168 小时)

    存取时间

    400ps

    包装

    Tray

    接口类型

    Parallel

    写周期时间-字,页

    15ns

    原始制造商

    Micron Technology,Inc.

    品牌

    Micron

    速度

    400MHz

    零件状态

    Active

    系列

    -

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    技术

    SDRAM - DDR2

    存储器类型

    Volatile

    存储器格式

    DRAM

    存储容量

    2 (128M x 16)GB

    时钟频率(Max)

    400MHz

    接口

    并联

    工作电压(范围)

    1.9V

    工作温度

    0~+85℃

    安装类型

    SMT

    封装/外壳

    TFBGA-84

    技术资料文档
    数据手册 MT47H128M16RT-25E:C.pdf

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