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MRAM磁性随机存储器 Micron MT41K256M16TW-107 AAT:P

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MRAM磁性随机存储器 Micron MT41K256M16TW-107 AAT:P

制造商型号: MT41K256M16TW-107 AAT:P
制造商: Micron
封装/规格: TFBGA-96
商品描述:
FBGA-96 DRAM存储器

PDF资料: MT41K256M16TW-107 AAT:P.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MRAM磁性随机存储器

    存取时间

    20ns

    包装

    Tray

    接口类型

    Parallel

    原始制造商

    Micron Technology,Inc.

    品牌

    Micron

    零件状态

    Active

    系列

    Automotive, AEC-Q100

    技术

    SDRAM - DDR3L

    存储器类型

    Volatile

    存储器格式

    DRAM

    存储容量

    4 (256M x 16)GB

    时钟频率(Max)

    933MHz

    工作电压(范围)

    1.45V

    工作温度

    -40~+105℃

    安装类型

    SMT

    封装/外壳

    TFBGA-96

    技术资料文档
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