张总
13652314007
首页IR的搜索结果 当前“IR”共 651 条相关产品
IR
| 图片 | 原厂型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 参考价格 | 封装 |
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay |
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
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现货： 100 |
￥7.22048 购买 |
PowerPAK® SO_8
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IRLML0060TRPBF | VBsemi |
Vds=60V Id=3.1A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.66W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,1.9A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4.2nC@30V 输入电容(Ciss@Vds)：180pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：13pF@30V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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现货： 145 |
￥1.01700 购买 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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IRLML2402TRPBF | VBsemi |
Vds=20V Id=5A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,5A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12nC@5V 输入电容(Ciss@Vds)：865pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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现货： 500 |
￥0.76350 购买 |
SOT-23-3
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IRLML6302TRPBF | VBsemi |
Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：61mΩ@2.5V,3.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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现货： 400 |
￥0.36570 购买 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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IRFHM9331TRPBF | Infineon |
P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-11A
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现货： 0 |
￥1.59353 购买 |
PQFN-8
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IRFP4568PBF | Infineon |
N沟道 VDS=150V VGS=±30V ID=171A
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现货： 0 |
￥29.90000 购买 |
TO-247-3(TO-247AC)
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FDV302P | ON/Fairchild |
N沟道 VDS=25V VGS=±8V ID=120mA
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现货： 销售,并且可以通过 等渠道进行代购。FDV302P价格参考￥0.78793。ON/FairchildFDV302P封装/规格：SOT-346,N沟道 VDS=25V VGS=±8V ID=120mA。你可以下载FDV302P中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：FDV302P<!-- |
￥1.00282 购买 |
SOT-346
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SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay |
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=60A P=83W
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现货： 0 |
￥9.88902 购买 |
PowerPAKSO-8
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay |
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
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现货： 0 |
￥3.49272 购买 |
PowerPAK® SO_8
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IRF9952TRPBF | Infineon |
N沟道+P沟道 VDS1=30V ID1=3.5A VDS2=-30V ID2=-2.3A VGS=±20V 2通路
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现货： 0 |
￥1.41748 购买 |
SOIC-8(0.154", 3.90mm Width)
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IRFH8318TRPBF | Infineon |
MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
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现货： 销售,并且可以通过 Digikey、Chip1stop、 等渠道进行代购。IRFH8318TRPBF价格参考￥0.00000。InfineonIRFH8318TRPBF封装/规格：8_PowerTDFN,MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN。你可以下载IRFH8318TRPBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：IRFH8318TRPBF<!-- |
￥0 购买 |
8_PowerTDFN
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IRLML5103TRPBF | Infineon |
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=760mA
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现货： 0 |
￥0.87010 购买 |
SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
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IRF7805ZTRPBF | IR |
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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现货： 销售,并且可以通过 等渠道进行代购。IRF7805ZTRPBF价格参考￥1.21118。IRIRF7805ZTRPBF封装/规格：SO-8,30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package。你可以下载IRF7805ZTRPBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：IRF7805ZTRPBF<!-- |
￥1.48645 购买 |
SO-8
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IRF8788TRPBF | Infineon |
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=24A
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现货： 0 |
￥0 购买 |
SOIC-8(0.154", 3.90mm Width)
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IRFB5620 | iscsemi |
N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=25A P=144W
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现货： 销售,并且可以通过 等渠道进行代购。IRFB5620价格参考￥14.51948。iscsemiIRFB5620封装/规格：SOT78，TO-220AB,SC-46,N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=25A P=144W。你可以下载IRFB5620中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：IRFB5620<!-- |
￥17.15939 购买 |
SOT78，TO-220AB,SC-46
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IRLML0030TRPBF | Infineon |
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A P=1.3W
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现货： 销售,并且可以通过 Future、Element14、 等渠道进行代购。IRLML0030TRPBF价格参考￥0.00000。InfineonIRLML0030TRPBF封装/规格：SOT-346,N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A P=1.3W。你可以下载IRLML0030TRPBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：IRLML0030TRPBF&l |
￥0 购买 |
SOT-346
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IRFP3710PBF | Infineon |
MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC
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现货： 20 |
￥9.24599 购买 |
TO-247 ,SOT-429
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IRF7493TRPBF | Infineon |
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
数据文档
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现货： 46 |
￥5.87600 购买 |
SOT96-1
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SIR462DP-T1-GE3 | Vishay |
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
数据文档
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现货： 3000 |
￥2.10600 购买 |
PowerPAK® SO_8
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IRFP4868PBF | Infineon |
MOSFET N-CH 300V 70A TO-247AC
数据文档
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现货： 25 |
￥24.15000 购买 |
TO-247 ,SOT-429
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Emily
