张总
13652314007
首页ME的搜索结果 当前“ME”共 3268 条相关产品
ME
| 图片 | 原厂型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 参考价格 | 封装 |
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SIT8008BI-21-33E-2.048000D | SiTime |
贴片有源晶振 3225 2.048MHz 3.3V LVCMOS ±20ppm -40°C~85°C
数据文档
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现货： 0 |
￥0 购买 |
3225_4P
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SIT8008BI-22-33E-37.125000D | SiTime |
贴片有源晶振 3225 37.125MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C
数据文档
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现货： 0 |
￥0 购买 |
3225_4P
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SIT8008BI-22-33E-3.579545D | SiTime |
贴片有源晶振 3225 3.579545MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C
数据文档
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现货： 0 |
￥0 购买 |
3225_4P
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SIT8008BI-22-33S-24.576000D | SiTime |
贴片有源晶振 3225 24.576MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C
数据文档
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现货： 0 |
￥0 购买 |
3225_4P
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SIT8008BI-22-33E-24.000000D | SiTime |
贴片有源晶振 3225 24MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
3225_4P
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C0402C150J4GACTU | KEMET |
贴片陶瓷电容 15pF ±5% 16V 0402
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现货： 销售,并且可以通过 等渠道进行代购。C0402C150J4GACTU价格参考￥0.21093。KEMETC0402C150J4GACTU封装/规格：0402,贴片陶瓷电容 15pF ±5% 16V 0402。你可以下载C0402C150J4GACTU中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有贴片电容（MLCC）详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：C0402C150J4GACTU<!-- |
￥0.31075 购买 |
0402
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SIT8008BI-33-33E-33.554432Y | SiTime |
贴片有源晶振 5032 33.554432MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
5032_4P
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SIT8008BI-83-33E-103.680000Y | SiTime |
贴片有源晶振 7050 103.68MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
7050_4P
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SIT8008BI-33-33E-32.000000Y | SiTime |
贴片有源晶振 5032 32MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
5032_4P
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SIT8008BI-13-33E-14.318180D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 14.31818MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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SIT8008BI-13-33E-48.000000D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 48MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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SIT8008BI-13-33E-5.000000D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 5MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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SIT8008BI-13-33E-26.666600D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 26.6666MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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SIT8008BI-13-33S-24.000000D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 24MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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SIT8008BI-13-33S-7.37280D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 7.3728MHz 3.3V LVCMOS ±50ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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ME9926 | VBsemi |
Vds=20V Id=7.1A SOP8 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.1A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19mΩ@4.5V,7.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9.5nC@4.5V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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现货： 82 |
￥1.32210 购买 |
SO-8
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ME9435 | VBsemi |
Vds=30V Id=5.8A SO-8 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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现货： 239 |
￥1.18720 购买 |
SO-8
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SIT8008BI-12-33S-30.000000D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 30MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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SIT8008BI-12-33E-7.37300D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 7.373MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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SIT8008BI-12-33E-13.560000D | SiTime |
贴片有源晶振 2520 13.56MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C
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现货： 0 |
￥0 购买 |
2520_4P
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Emily
