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首页WILLSEMI的搜索结果 当前“WILLSEMI”共 47 条相关产品

WILLSEMI

图片 原厂型号 品牌 描述 库存 参考价格 封装
TVS二极管 WILLSEMI ESD5451X-2/TR ESD5451X-2/TR WILLSEMI
TVS二极管 1-Line Bi-directional ±30kV 8A 80W FBP-02C
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现货: 10000

¥0.08475

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FBP-02C
MOSFETs WILLSEMI WNM4002-3/TR WNM4002-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):250mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω 4.5V,350mA 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):300mA 类型:N沟道
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现货: 3000

¥0.16501

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SOD-523
MOSFETs WILLSEMI WNM2030-3/TR WNM2030-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):370mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):880mA 类型:N沟道
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现货: 4860

¥0.16501

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SOT-723
MOSFETs WILLSEMI WNM3013-3/TR WNM3013-3/TR WILLSEMI
输入电容(Ciss@Vds):36pF 5V 反向传输电容(Crss@Vds):12pF 5V 功率(Pd):380mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2mΩ 10V,450mA 栅极电荷(Qg@Vgs):1.6nC 10V 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):250mA 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 工作温度(最小值):-55℃ (Tj) 类型:N沟道
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现货: 7980

¥0.20999

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SOT-723
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD9X7V-2/TR ESD9X7V-2/TR WILLSEMI
工作电压7V 击穿电压7.5V 峰值脉冲电流9.5A
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现货: 10000

¥0.13230

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FBP-02C
MOSFETs WILLSEMI WPM2026-3/TR WPM2026-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):600mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ 4.5V,3.2A 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 类型:P沟道 P沟道,-20V,-3.2A
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现货: 41

¥0.37395

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SOT-23-3
MOSFETs WILLSEMI WPM1481-6/TR WPM1481-6/TR WILLSEMI
功率(Pd):1.4W 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ 4.5V,5.5A 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.3A 类型:P沟道
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现货: 12000

¥0.72500

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DFN2X2-6L
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5311N-2/TR ESD5311N-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):5V (最大值) 极性:双向 最大钳位电压:21V 击穿电压(最小值):7.5V
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现货: 29600

¥0.17999

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DFN1006
MOSFETs WILLSEMI WNM2020-3/TR WNM2020-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):830mA 类型:N沟道
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现货: 3000

¥0.22259

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SOT-23-3
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD56151W04-2/TR ESD56151W04-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:16A 反向截止电压(Vrwm):4.5V 极性:双向 最大钳位电压:6.5V 击穿电压(最小值):4.7V
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现货: 2790

¥0.33000

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SOD-323
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5641D12-3/TR ESD5641D12-3/TR WILLSEMI
工作电压12V 击穿电压13V 峰值脉冲功率350W
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现货: 3000

¥0.54240

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ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5621W-2/TR ESD5621W-2/TR WILLSEMI
工作电压12V 击穿电压13V 峰值脉冲电流50A
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现货: 2200

¥0.35595

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SOD-323F
场效应管(MOS管) WILLSEMI(韦尔) WPM2341-3/TR WPM2341-3/TR WILLSEMI(韦尔)
P沟道,-20V,-4.3A
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现货: 销售,并且可以通过 等渠道进行代购。WPM2341-3/TR价格参考¥0.58172。WILLSEMI(韦尔)WPM2341-3/TR封装/规格:SOT-23-3,P沟道,-20V,-4.3A。你可以下载WPM2341-3/TR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:WPM2341-3/TR<!--

¥0.74038

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SOT-23-3
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5451Z-2/TR ESD5451Z-2/TR WILLSEMI
工作电压5V 击穿电压5.1V 峰值脉冲电流8A
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现货: 6940

¥0.10170

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ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD9X5VL-2/TR ESD9X5VL-2/TR WILLSEMI
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1A 80/20μs 反向截止电压(Vrwm):5V (最大值) 极性:单向 最大钳位电压:11V 击穿电压(最小值):7V
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现货: 10000

¥0.17999

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FBP-02
ESD抑制器/TVS二极管 WILLSEMI ESD5311Z-2/TR ESD5311Z-2/TR WILLSEMI
击穿电压7.5V 工作电压5V 峰值脉冲电流4A
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现货: 9940

¥0.16950

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MOSFETs WILLSEMI WNM2021-3/TR WNM2021-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):310mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):820mA 类型:N沟道
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现货: 955

¥0.30000

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SOD-323
MOSFETs WILLSEMI WNM2016-3/TR WNM2016-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):700mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ 4.5V,3.6A 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 类型:N沟道 N沟道,20V,3.2A
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现货: 2921

¥0.30615

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SOT-23-3
ESD二极管 WILLSEMI ESD5302F-3/TR ESD5302F-3/TR WILLSEMI
反向关断电压(典型值):5V (Max) 击穿电压(最小值):7V 峰值脉冲电流(10/1000us):16A 极性:Unidirectional 箝位电压:20V
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现货: 33

¥0.27000

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SOT-23
MOSFETs WILLSEMI WNM2024-3/TR WNM2024-3/TR WILLSEMI
功率(Pd):600mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ 4.5V,3.6A 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A 类型:N沟道
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现货: 500

¥0.32010

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SOT-23-3
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张总

13923880174

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