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晶体管 Nexperia PDTC115EMB,315

图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 Nexperia PDTC115EMB,315

制造商型号: PDTC115EMB,315
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-883B,DFN1006B-3
商品描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 230MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1)

PDF资料: PDTC115EMB,315.pdf

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  • 产品分类

    通用三极管

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    晶体管类型

    NPN

    Vce饱和压降(Max)

    150mV

    DC电流增益(hFE)(Min&Range)

    80

    集电极电流Ic(Max)

    20mA

    集射极击穿电压Vce(Max)

    50V

    功率(Max)

    250mW

    跃迁频率

    230MHz

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-883B,DFN1006B-3

    技术资料文档
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