DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
品牌:DIODES
历史库存:500
历史单价:1.36526(最新价格请咨询)
安装类型 表面贴装(SMT)
系列 -
零件状态 在售
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装/外壳 DO-214AB,SMC
反向恢复时间(trr) 150ns
平均整流电流IF 3A
反向耐压VR(max) 200V
Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 45V 15A Through Hole TO-220-3
历史库存:100
历史单价:2.72700(最新价格请咨询)
封装/外壳 TO-220-3
DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
历史单价:1.47690(最新价格请咨询)
反向恢复时间(trr) 500ns
反向耐压VR(max) 1000V
DIODE GEN PURP 50V 3A SMB
历史单价:0.95200(最新价格请咨询)
封装/外壳 DO-214AA,SMB
反向耐压VR(max) 50V
DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F
历史单价:0.71470(最新价格请咨询)
安装类型 SMT
原始制造商 Diodes Incorporated
品牌 DIODES
总电容C 9pF
系列 Automotive, AEC-Q101
零件状态 Active
封装/外壳 SOD-123F
反向漏电流IR 1µA
反向恢复时间(trr) 35ns
正向压降VF 1.25V
平均整流电流IF 1A
工作温度 -55~+150℃
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
品牌:Vishay
历史单价:0.75124(最新价格请咨询)
反向恢复时间(trr) 30ns
正向压降VF 0.9V
平均整流电流IF 2A
反向耐压VR(max) 100V
VR=80V IF=250mA 1.0pF Trr=50ns P=350mW
历史单价:0.79672(最新价格请咨询)
系列 MMBD4448HCQW /AQW /ADW /CDW /SDW /TW
组态 Dual-Dual,Com,Anode
反向耐压VR(max) 80V
平均整流电流IF 0.5A
反向漏电流IR 0.1uA
反向恢复时间(trr) 4ns
总电容C 3.5pF
应用 汽车
工作温度 -65℃~150℃
封装/外壳 SOT-363(SC-70-6,TSSOP-6,SC-88)
正向压降(Vf):500mV @ 3A 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):3A
品牌:PANJIT
历史库存:1780
历史单价:0.28951(最新价格请咨询)
二极管配置 独立式
二极管类型 肖特基
元件生命周期 Active
原产国家 China Taiwan
品牌 PANJIT
组态 Single
反向耐压VR(max) 40V
正向压降VF 500mV
反向漏电流IR 0.2mA
封装/外壳 SMA(DO-214AC)
DIODE ZENER 3.3V 400MW ALF2
品牌:Nexperia
历史库存:0
历史单价:0
安装类型 通孔(THT)
稳压值Vz 3.3V
反向电流Izt 5mA
反向漏电流IR 5uA
容差Tol ±5%
额定功率 400mW
应用 通用
工作温度 -65℃~200℃
封装/外壳 SOD-27