正向压降(Vf)：1.1V 2A 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 反向电流(Ir)：1μA
品牌：PANJIT
历史库存：800
历史单价：0.30751（最新价格请咨询）
组态 Single
安装类型 表面贴装(SMT)
Ifsm - 正向浪涌峰值电流 60A
元件生命周期 Active
原产国家 China Taiwan
品牌 PANJIT
零件状态 在售
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装/外壳 SMB(DO-214AA)
反向漏电流IR 1uA
正向压降VF 1.1V
平均整流电流IF 2A
反向耐压VR(max) 1000V
工作温度 -55℃~150℃
直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：70mA 正向压降(Vf)：1V@15mA 1对共阳极 肖特基阵列 VR=70V IO=0.07A VF=1V@0.015A
品牌：DIODES
历史库存：3000
历史单价：0.15417（最新价格请咨询）
品牌 DIODES
应用 通用
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
正向压降VF 1V
平均整流电流IF 70mA
反向耐压VR(max) 70V
工作温度 -55℃~125℃
DIODESCHOTTKY200V10AD2PAK
历史库存：100
历史单价：2.21805（最新价格请咨询）
安装类型 通孔(THT)
原始制造商 Diodes Incorporated
封装/外壳 D2Pak
反向耐压VR(max) 200V
工作温度 -55℃~175℃
VR=40V IF=3A
品牌：LGE
历史单价：0.33000（最新价格请咨询）
反向耐压VR(max) 40V
正向压降VF 0.5V
平均整流电流IF 3A
反向漏电流IR 0.5mA
反向恢复时间(trr) -
封装/外壳 SMB
VR=60V IF=5A
历史单价：0.52499（最新价格请咨询）
反向耐压VR(max) 60V
正向压降VF 0.7V
平均整流电流IF 5A
封装/外壳 SMC
VR=75V IF=100mA Trr=4ns P=200mW
品牌：LIZ
历史库存：0
历史单价：0.12077（最新价格请咨询）
系列 -
反向耐压VR(max) 75V
正向压降VF 1.25V
平均整流电流IF 0.1A
反向漏电流IR 5uA
反向恢复时间(trr) 4ns
总电容C 4pF
工作温度 150℃
封装/外壳 0603（1608公制）
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
品牌：Vishay
历史库存：销售,并且可以通过 Chip1stop、Rs、 等渠道进行代购。1N4150W-E3-08价格参考￥1.77053。Vishay1N4150W-E3-08封装/规格：SOD-123,DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123。你可以下载1N4150W-E3-08中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有开关二极管（小信号）详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：1N4150W-E3-08<!--
历史单价：2.17292（最新价格请咨询）
反向耐压VR(max) 50V
平均整流电流IF 0.2A
反向漏电流IR 0.1uA
总电容C 2.5pF
应用 汽车
封装/外壳 SOD-123
VR=75V IF=150mA Trr=4ns P=350mW
历史单价：0.18021（最新价格请咨询）
正向压降VF 1.2V
平均整流电流IF 0.15A
VR=200V IF=400mA Trr=50ns P=350mW 2通道
历史单价：0.24873（最新价格请咨询）
系列 BAV23A/C/S
组态 Dual,Com，Anode
平均整流电流IF 0.4A
反向恢复时间(trr) 50ns
总电容C 5pF
工作温度 -65℃~150℃
封装/外壳 SOT-23
VR=75V IF=150mA 1.0pF Trr=50ns P=350mW
历史单价：1.16142（最新价格请咨询）
系列 MMBD4148TW / BAS16TW
组态 Triple,Isolated
总电容C 2pF
封装/外壳 SOT-363(SC-70-6,TSSOP-6,SC-88)
