VR=75V IF=215mA Trr=3us P=250mW 2通路
品牌：JCET
历史库存：5650
历史单价：0.09152（最新价格请咨询）
安装类型 表面贴装(SMT)
系列 -
组态 Dual,Com，Cath
反向耐压VR(max) 75V
正向压降VF 1.25V
平均整流电流IF 0.215A
反向漏电流IR 0.005uA
反向恢复时间(trr) 3us
总电容C 2pF
应用 通用
工作温度 150℃
封装/外壳 SOT-23-3
VR=75V IF=150mA Trr=4ns P=200mW
品牌：FH
历史库存：10
历史单价：0.11228（最新价格请咨询）
组态 Single
平均整流电流IF 0.15A
反向漏电流IR 1uA
反向恢复时间(trr) 4ns
封装/外壳 SOD-123
VR=75V IF=150mA Trr=4ns P=200mW 2通路
品牌：DIODES
历史库存：6160
历史单价：0.16950（最新价格请咨询）
组态 Dual,Series
反向漏电流IR 2.5uA
应用 汽车
工作温度 -65℃~150℃
封装/外壳 SOT-323-3
VR=80V IF=100mA Trr=4ns
品牌：ROHM
历史库存：2524
历史单价：0.12001（最新价格请咨询）
零件状态 在售
反向耐压VR(max) 80V
正向压降VF 1.2V
平均整流电流IF 0.1A
反向漏电流IR 0.1uA
总电容C 3pF
封装/外壳 SOD-323F
正向压降(Vf)：1.2V 1A 直流反向耐压(Vr)：600V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：5μA 600V 反向恢复时间(trr)：200ns
品牌：PANJIT
历史库存：5000
历史单价：0.08850（最新价格请咨询）
二极管配置 独立式
工作温度 -55℃~150℃
元件生命周期 Active
存储温度 -55~+150℃
原产国家 China Taiwan
品牌 PANJIT
系列 1N4937
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
反向耐压VR(max) 600V
反向漏电流IR 5uA
反向恢复时间(trr) 200ns
平均整流电流IF 1A
封装/外壳 DO-41
VR=200V IF=100A 45pF
品牌：MDD
历史库存：0
历史单价：0
二极管类型 -
品牌 MDD
总电容C 45pF
系列 ES3AB - ES3JB
反向耐压VR(max) 200V
反向恢复时间(trr) 35ns
正向压降VF 0.95V
平均整流电流IF 3A
封装/外壳 SMB(DO-214AA)
VR=1000V IF=2A 28pF Trr=75ns
历史库存：1660
历史单价：0.10050（最新价格请咨询）
工作温度 -50℃~150℃
总电容C 28pF
系列 US2A - US2M
反向耐压VR(max) 1000V
反向恢复时间(trr) 75ns
正向压降VF 1.7V
平均整流电流IF 2A
封装/外壳 SMA(DO-214AC)
VR=1000V IF=1A 15pF Trr=500ns
历史库存：2820
历史单价：0.04200（最新价格请咨询）
总电容C 15pF
系列 DFR1A - DFR1M
反向恢复时间(trr) 500ns
正向压降VF 1.3V
封装/外壳 SOD-123FL
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD128
品牌：Nexperia
工作温度-结 175°C（最大）
二极管类型 肖特基
反向耐压VR(max) 40V
正向压降VF 0.49V
反向漏电流IR 200uA
反向恢复时间(trr) -
封装/外壳 SOD-128
VR=1000V IF=1A Trr=75ns
品牌：SK
历史单价：0.07148（最新价格请咨询）
总电容C -
系列 US1AG - US1MG
正向压降VF 1.65V
