阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA

漏极电流Idss -3.5A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -12V

漏源电压(Vdss) 12V

导通电阻Rds On(Max) 55mΩ

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss -2A

FET类型 P沟道

漏源极电压（Vdss） -9V

漏源电压(Vdss) 9V

连续漏极电流Id@25℃ 2000mA

导通电阻Rds On(Max) 105mΩ

功率(Max) 1.25W

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

漏极电流Idss 6A

FET类型 N+N沟道

元件生命周期 Active

原产国家 China

原始制造商 FM Microelectronics Group Co., Ltd

品牌 FM

漏源极电压（Vdss） 20V

零件状态 在售

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-6

阈值电压Vgs(th) 5V@250µA

漏极电流Idss 1.6A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9欧姆@800mA，10V

漏源极电压（Vdss） 1000V（1kV）

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 1000V

导通电阻Rds On(Max) 7.1Ω

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 1µA

FET类型 N沟道

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 13A

导通电阻Rds On(Max) 11mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 23nC

输入电容(Ciss)(Max) 800pF

功率(Max) 4.1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

元件生命周期 Active

原产国家 China

原始制造商 Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

品牌 Ruichips

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 44A

导通电阻Rds On(Max) 1.4mΩ

功率(Max) 4.2W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 PDFN5060

阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA

FET类型 P沟道

元件生命周期 Active

原产国家 China

原始制造商 Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

品牌 Ruichips

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) -40V

连续漏极电流Id@25℃ -9.5A

导通电阻Rds On(Max) 30mΩ

功率(Max) 3.1W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOP-8

封装/外壳 SOT-23

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 -

晶体管类型 PNP

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 246mW

跃迁频率 -

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)