晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 1000mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 60

集电极电流Ic(Max) 10000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 80V

功率(Max) 50W

跃迁频率 50MHz

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 通孔(THT)

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 510毫欧@1A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 1A

导通电阻Rds On(Max) 510mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 122pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 17毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 32A

导通电阻Rds On(Max) 17mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 552pF

功率(Max) 47W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 58A

导通电阻Rds On(Max) 13mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 75nC

输入电容(Ciss)(Max) 3775pF

功率(Max) 238W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14.8毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 50A

导通电阻Rds On(Max) 14.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 20.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 1220pF

功率(Max) 86W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 1.3V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 850毫欧@400mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 680mA

导通电阻Rds On(Max) 850mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.14nC

输入电容(Ciss)(Max) 87pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8.8毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 8.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 156nC

输入电容(Ciss)(Max) 8250pF

功率(Max) 230W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 8.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 122.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 5260pF

功率(Max) 230W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 380毫欧@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1A

导通电阻Rds On(Max) 350mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 68pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3