阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 103毫欧@1.3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3.7A

导通电阻Rds On(Max) 146mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 514pF

功率(Max) 515mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020-6

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 40毫欧@3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4A

导通电阻Rds On(Max) 40mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 21.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 660pF

功率(Max) 490mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020-6

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 340mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 370mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-666-6

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6欧姆@450mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 450mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 450mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5.1A

导通电阻Rds On(Max) 43mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10nC

输入电容(Ciss)(Max) 271pF

功率(Max) 3.8W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 7.2A

导通电阻Rds On(Max) 24mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19nC

输入电容(Ciss)(Max) 607pF

功率(Max) 2.1W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 12V

连续漏极电流Id@25℃ 8.2A

导通电阻Rds On(Max) 20mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 100nC

输入电容(Ciss)(Max) 2875pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 0.9V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 9A

导通电阻Rds On(Max) 14mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 34nC

输入电容(Ciss)(Max) 2175pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 10A

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 20.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 840pF

功率(Max) 1.8W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6