阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 66A

导通电阻Rds On(Max) 10.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12nC

输入电容(Ciss)(Max) 860pF

功率(Max) 93W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 252毫欧@900mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 870mA

导通电阻Rds On(Max) 252mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.65nC

输入电容(Ciss)(Max) 81pF

功率(Max) 310mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 1.15V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 115毫欧@2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2A

导通电阻Rds On(Max) 115mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 560pF

功率(Max) 375mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 36毫欧@4.8A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.8A

导通电阻Rds On(Max) 36mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 9.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 558pF

功率(Max) 530mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

阈值电压Vgs(th) 2.4V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 320mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 420mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 0.7V@250µA

FET类型 N+N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 7.0mΩ

功率(Max) 1W

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 66nC

输入电容(Ciss)(Max) 4173pF

功率(Max) 179W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 74A

导通电阻Rds On(Max) 11mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 43nC

输入电容(Ciss)(Max) 2782pF

功率(Max) 148W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 46毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 22A

导通电阻Rds On(Max) 46mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11nC

输入电容(Ciss)(Max) 633pF

功率(Max) 56W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11.3毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 61A

导通电阻Rds On(Max) 11.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 23nC

输入电容(Ciss)(Max) 1368pF

功率(Max) 91W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33