阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 165nC

输入电容(Ciss)(Max) 8250pF

功率(Max) 230W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 46A

导通电阻Rds On(Max) 14mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12nC

输入电容(Ciss)(Max) 702pF

功率(Max) 56W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13.6毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 32A

导通电阻Rds On(Max) 13.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 521pF

功率(Max) 26W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 26.8毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 37A

导通电阻Rds On(Max) 26.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 30nC

输入电容(Ciss)(Max) 1624pF

功率(Max) 103W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.2V@2mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.02毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 300A

导通电阻Rds On(Max) 1.02mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 121.35nC

输入电容(Ciss)(Max) 8598pF

功率(Max) 238W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.15毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 145nC

输入电容(Ciss)(Max) 9968pF

功率(Max) 272W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 85毫欧@3.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 150V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

输入电容(Ciss)(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 0.7V@250uA

FET类型 P沟道

元件生命周期 Active

存储温度 -55~+150℃

引线数量 3

原产国家 China Taiwan

原始制造商 TECH PUBLIC

品牌 TECH PUBLIC

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3A

导通电阻Rds On(Max) 140mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12nC

输入电容(Ciss)(Max) 405pF

功率(Max) 1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3

阈值电压Vgs(th) 3.5V@1mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20欧姆@150mA，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 75mA

栅极电荷(Qg)(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 90毫欧@9A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 37nC

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK