FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1.4A

导通电阻Rds On(Max) 110mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 480pF

功率(Max) 290mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOD-323

阈值电压Vgs(th) 0.7V@250uA

FET类型 P沟道

元件生命周期 Active

存储温度 -55~+150℃

引线数量 3

原产国家 China Taiwan

原始制造商 TECH PUBLIC

品牌 TECH PUBLIC

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3A

导通电阻Rds On(Max) 140mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12nC

输入电容(Ciss)(Max) 405pF

功率(Max) 1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3A

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 5.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 320pF

功率(Max) 1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23N

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 950mA

导通电阻Rds On(Max) 480mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.15nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 150mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-723

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 350mA

导通电阻Rds On(Max) 4300mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) -

功率(Max) 150mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-723

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250uA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 19mΩ

功率(Max) 18W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 120mΩ

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) -60V

连续漏极电流Id@25℃ -50A

导通电阻Rds On(Max) 13mΩ

功率(Max) 35W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46