MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
FET类型 N+N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5欧姆@100mA，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 200mA
导通电阻Rds On(Max) 4.5Ω
栅极电荷(Qg)(Max) 0.44nC
输入电容(Ciss)(Max) 20.0pF
功率(Max) 370mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-666-6
N沟道 VDS=30V VGS=±8V ID=400mA P=350mW
历史单价：0.31250（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@350mA，4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 400mA
导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω
栅极电荷(Qg)(Max) 0.68nC
输入电容(Ciss)(Max) 50pF
功率(Max) 420mW
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=270mA P=310mW
阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.8欧姆@200mA，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 330mA
导通电阻Rds On(Max) 2.8Ω
栅极电荷(Qg)(Max) 1nC
输入电容(Ciss)(Max) 23.6pF
功率(Max) 265mW
封装/外壳 SOT-323，SC-70
N沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=75A P=203W
阈值电压Vgs(th) 4V@1mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.1毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流Id@25℃ 75A
导通电阻Rds On(Max) 7.1mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 53nC
输入电容(Ciss)(Max) 3760pF
功率(Max) 203W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
N沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=75A P=157W
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11毫欧@25A，10V
零件状态 Digi-Key已不再提供
导通电阻Rds On(Max) 11mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 37nC
输入电容(Ciss)(Max) 2604pF
功率(Max) 157W
MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 25毫欧@5A，10V
漏源极电压（Vdss） 40V
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流Id@25℃ 27A
导通电阻Rds On(Max) 25mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 7.9nC
输入电容(Ciss)(Max) 525pF
功率(Max) 32W
封装/外壳 LFPAK56-8
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=75A P=300W
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
漏源电压(Vdss) 100V
导通电阻Rds On(Max) 10mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 80nC
输入电容(Ciss)(Max) 6773pF
功率(Max) 300W
TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP
晶体管类型 PNP +PNP
Vce饱和压降(Max) 200mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 120
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 40V
功率(Max) 600mW
跃迁频率 100MHz
工作温度(Tj) 150°C
封装/外壳 SOT-457-6
TRANS 2NPN 100V 3A LFPAK
晶体管类型 NPN+NPN
Vce饱和压降(Max) 330mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 10
集电极电流Ic(Max) 3000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 100V
功率(Max) 1.25W
跃迁频率 140MHz
工作温度(Tj) 175°C
TRANS PNP 100V 2A LFPAK
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 400mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80
集电极电流Ic(Max) 2000mA
功率(Max) 25W
跃迁频率 125MHz
封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)
